DEFAUTS DUS A L'IRRADIATION DANS L'ARSENIURE DE GALLIUMBRUDNYJ VN; KRIVOV MA.1980; IZV. VYSS. UCEBN. ZAVED., FIZ.; ISSN 0021-3411; SUN; DA. 1980; VOL. 23; NO 1; PP. 64-75; BIBL. 92 REF.Article

ELECTRICAL TRANSPORT IN H⁺-IRRADIATED GALLIUM ARSENIDEBRUDNYI VN; KRIVOV MA; POTAPOV AI et al.1980; SOLID STATE COMMUN.; ISSN 0038-1098; USA; DA. 1980; VOL. 34; NO 2; PP. 117-119; BIBL. 8 REF.Article

PROPRIETES ELECTROPHYSIQUES DE L'ARSENIURE DE GALLIUM TRAITE THERMIQUEMENTKRIVOV MA; MALISOVA EV; POPOVA EA et al.1973; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1973; NO 3; PP. 69-76; BIBL. 18 REF.Serial Issue

COMPORTEMENT DU CUIVRE DANS L'ARSENIURE DE GALLIUM A HAUTE CONCENTRATION DE TELLURE. II. PROPRIETES PHOTOELECTRIQUESKRIVOV MA; MEL'CHENKO EH N; KHLUDKOV SS et al.1979; IZV. VYSS. UCEBN. ZAVED., FIZ.; ISSN 0021-3411; SUN; DA. 1979; VOL. 22; NO 9; PP. 11-15; BIBL. 3 REF.Article

CHOIX DU MODELE DU SPECTRE ENERGETIQUE D'IMPURETE D'UN SEMICONDUCTEUR PAR LA METHODE D'OPTIMISATION DES PARAMETRES DE L'EQUATION DE NEUTRALITEKRIVOV MA; MALISOVA EV; POPOVA EA et al.1977; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 20; NO 9; PP. 71-77; BIBL. 6 REF.Article

ETUDE DES DEFAUTS DANS LES CRISTAUX DE CDSNAS₂ IRRADIES PAR ELECTRONSBRUDNYJ VN; VOEVODINA OV; KRIVOV MA et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 7; PP. 1311-1314; BIBL. 7 REF.Article

RECOMBINAISON DES TROUS SUR LES ATOMES D'OR DANS LE GERMANIUM DE TYPE NABRAMOCHKIN AI; VOEVODIN VG; KRIVOV MA et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 7; PP. 1335-1338; BIBL. 12 REF.Article

PROPRIETES ELECTRO-PHYSIQUES DES COUCHES A DOPAGE IONIQUE GAAS OBTENUES AVEC IMPLANTATION D'IONS CD⁺ (E=100 KEV)AZIKOV BS; BRUDNYJ VN; KAMENSKAYA IV et al.1981; IZV. VYSS. UCEBN. ZAVED., FIZ.; ISSN 0021-3411; SUN; DA. 1981; VOL. 24; NO 1; PP. 40-44; BIBL. 10 REF.Article

DEFECTS IN ELECTRON IRRADIATED CDSNAS₂ CRYSTALSBRUDNYI VN; VOEVODIN VG; VOEVODINA OV et al.1980; PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1980; VOL. 62; NO 1; PP. 155-162; ABS. RUS; BIBL. 13 REF.Article

PROPRIETES ELECTROPHYSIQUES DES COUCHES GAAS A IMPLANTATION IONIQUE DE ZN⁺ (150 KEV) SUIVIE D'UN RECUIT ENTRE 500 ET 1000^OCAZIKOV BS; BRUDNYJ VN; KAMENSKAYA IV et al.1979; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; SUN; DA. 1979; NO 3; PP. 22-26; BIBL. 14 REF.Article

INFLUENCE DES DEFAUTS INTRINSEQUES DU RESEAU SUR LES SURINTENSITES DES DIODES TUNNELS EN ARSENIURE DE GALLIUMALEKSEEVA ZM; BRUDNYJ VN; KRIVOV MA et al.1976; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 19; NO 9; PP. 88-92; BIBL. 7 REF.Article

HIGH TEMPERATURE DEFECTS IN ELECTRON IRRADIATED SEMICONDUCTORS HG CD TE, PB SN TEVOITSEHOVSKI AV; BROUDNYI VN; LILENKO YU V et al.1979; SOLID STATE COMMUNIC.; GBR; DA. 1979; VOL. 31; NO 2; PP. 105-108; BIBL. 9 REF.Article

P-N-TYPE CONVERSION AND OPTICAL PROPERTIES OF 2.0 MEV ELECTRON-IRRADIATED ZNSNAS₂.BRUDNYI VN; BUDNITSKII DL; KRIVOV MA et al.1976; PHYS. STATUS SOLIDI, A; ALLEM.; DA. 1976; VOL. 35; NO 2; PP. 425-430; ABS. ALLEM.; BIBL. 13 REF.Article

PHOTOLUMINESCENCE DES COUCHES D'IMPLANTATION IONIQUE DANS GAAS OBTENUES PAR IMPLANTATION DES IONS ZN⁺AZIKOV BS; KAMENSKAYA IV; KRIVOV MA et al.1981; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1981; VOL. 15; NO 7; PP. 1325-1329; BIBL. 11 REF.Article

EN RUSSE. = ABSORPTION IR DANS L'ARSENIURE DE GALLIUM DUE AUX NIVEAUX PROFONDS DES DEFAUTSBRUDNYJ VN; BRAILOVSKIJ E YU; KRIVOV MA et al.1974; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 17; NO 10; PP. 118-121; BIBL. 10 REF.Article

CHANGE OF ELECTRICAL PROPERTIES IN ELECTRON IRRADIATED CDGEAS₂ CRYSTALSBRUDNYI VN; KRIVOV MA; POTAPOV AI et al.1978; PHYS. STATUS SOLIDI, A; DDR; DA. 1978; VOL. 49; NO 2; PP. 761-765; ABS. RUS; BIBL. 7 REF.Article

CARACTERISTIQUES ELECTROPHYSIQUES ET DE RECOMBINAISON DES CRISTAUX PB_1-XSN_XTE (SE) IRRADIES PAR ELECTRONSBRUDNYJ VN; VOJTSEKHOVSKIJ AV; KRIVOV MA et al.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1978; VOL. 12; NO 8; PP. 1495-1498; BIBL. 10 REF.Article

INFLUENCE DE L'IMPURETE DE CUIVRE ET DES DEFAUTS STRUCTURELS SUR LES PROPRIETES DU COMPOSE CDSNAS₂VOEVODINA OV; VYATKIN AP; VEDERNIKOVA TV et al.1980; IZV. VYSS. UCEBN. ZAVED., FIZ.; ISSN 0021-3411; SUN; DA. 1980; VOL. 23; NO 5; PP. 102-108; BIBL. 9 REF.Article

ETUDE DES PROPRIETES ELECTROPHYSIQUES ET PHOTOELECTRIQUES DES COUCHES DE DIFFUSION D'ARSENIURE DE GALLIUM OBTENUES PAR COMPENSATION AVEC DU CUIVREKRIVOV MA; MALISOVA EV; MEL'CHENKO EH N et al.1977; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 20; NO 10; PP. 95-100; BIBL. 11 REF.Article

DEFAUTS D'IRRADIATION DANS LES CRISTAUX DE CDSIAS₂ ET ZNSIAS₂ IRRADIES PAR ELECTRONSBRUDNYJ VN; KRIVOV MA; POTAPOV AI et al.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 12; NO 6; PP. 1109-1113; BIBL. 10 REF.Article

THE ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF 2,0 MEV ELECTRON-IRRADIATED ZNGEP₂BRUDNYI VN; BUDNITSKII DL; KRIVOV MA et al.1978; PHYS. STATUS SOLIDI, A; DDR; DA. 1978; VOL. 50; NO 2; PP. 379-384; ABS. RUS; BIBL. 13 REF.Article

RADIATION DEFECTS IN H⁺-IRRADIATED P-CDSIAS₂ AND P-ZNSIAS₂ CRYSTALSBRUDNYI VN; KRIVOV MA; POTAPOV AI et al.1982; RADIAT. EFF.; ISSN 0033-7579; GBR; DA. 1982; VOL. 59; NO 3-4; PP. 211-215; BIBL. 10 REF.Article

ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON (2 MEV) IRRADIATED P-CDSIAS₂ AND P-ZNSIAS₂ CRYSTALSBRUDNYI VN; KRIVOV MA; MAMEDOV A et al.1980; PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1980; VOL. 60; NO 1; PP. K57-K60; BIBL. 8 REF.Article

COMPORTEMENT DU CUIVRE DANS L'ARSENIURE DE GALLIUM A HAUTE CONCENTRATION DE TELLURE. I. PROPRIETES ELECTROPHYSIQUES ET SPECTRES DE CATHODOLUMINESCENCEKAMENSKAYA IV; KRIVOV MA; MALISOVA EV et al.1979; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; SUN; DA. 1979; VOL. 22; NO 7; PP. 93-99; BIBL. 12 REF.Article

ETUDE DU COMPORTEMENT DES CENTRES DE L'IMPURETE CUIVRE DANS L'ARSENIURE DE GALLIUMVOJTSEKHOVSKIJ AV; ZAKHAROVA GA; KRIVOV MA et al.1979; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1979; VOL. 13; NO 4; PP. 640-644; BIBL. 11 REF.Article